Справочник MOSFET. CHM6861JGP

 

CHM6861JGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM6861JGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для CHM6861JGP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM6861JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  chenmko
 chm6861jgp.pdf pdf_icon

CHM6861JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6861JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power

 7.1. Size:99K  chenmko
 chm6861zgp.pdf pdf_icon

CHM6861JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6861ZGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. ( SC-73/SOT-223 )1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.

Другие MOSFET... CHM6426XGP , CHM6428JGP , CHM6503GP , CHM6561QGP , CHM65A3PAGP , CHM6601JGP , CHM6601PAGP , CHM6607JGP , IRF730 , CHM6861ZGP , CHM703ALPAGP , CHM7101JGP , CHM71A3PAGP , CHM72A3NGP , CHM72A3PAGP , CHM730GPAGP , CHM7350JGP .

History: APQ9ESN20AB | CHM6561QGP | SUD19N20-90 | 2N65L-TMA-T | HCP90R800 | NTMFS5C450NL | SVF12N60STR

 

 
Back to Top

 


 
.