CHM6861JGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CHM6861JGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для CHM6861JGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM6861JGP даташит

 ..1. Size:92K  chenmko
chm6861jgp.pdfpdf_icon

CHM6861JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM6861JGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3.5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High power

 7.1. Size:99K  chenmko
chm6861zgp.pdfpdf_icon

CHM6861JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM6861ZGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3.5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-73/SOT-223 FEATURE * Small flat package. ( SC-73/SOT-223 ) 1.65+0.15 * High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.20 0.90+0.

Другие IGBT... CHM6426XGP, CHM6428JGP, CHM6503GP, CHM6561QGP, CHM65A3PAGP, CHM6601JGP, CHM6601PAGP, CHM6607JGP, IRFB31N20D, CHM6861ZGP, CHM703ALPAGP, CHM7101JGP, CHM71A3PAGP, CHM72A3NGP, CHM72A3PAGP, CHM730GPAGP, CHM7350JGP