CHM6861ZGP Todos los transistores

 

CHM6861ZGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM6861ZGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CHM6861ZGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  chenmko
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CHM6861ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6861ZGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. ( SC-73/SOT-223 )1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.

 7.1. Size:92K  chenmko
 chm6861jgp.pdf pdf_icon

CHM6861ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6861JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power

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