CHM6861ZGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CHM6861ZGP
Маркировка: 6861
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для CHM6861ZGP
CHM6861ZGP Datasheet (PDF)
chm6861zgp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6861ZGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. ( SC-73/SOT-223 )1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.
chm6861jgp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6861JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .