CHM72A3NGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM72A3NGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: D2PAK

 Búsqueda de reemplazo de CHM72A3NGP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CHM72A3NGP datasheet

 ..1. Size:107K  chenmko
 chm72a3ngp.pdf pdf_icon

CHM72A3NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM72A3NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 75 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

 7.1. Size:108K  chenmko
 chm72a3pagp.pdf pdf_icon

CHM72A3NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM72A3PAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 70 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power

Otros transistores... CHM6601JGP, CHM6601PAGP, CHM6607JGP, CHM6861JGP, CHM6861ZGP, CHM703ALPAGP, CHM7101JGP, CHM71A3PAGP, IRFZ46N, CHM72A3PAGP, CHM730GPAGP, CHM7350JGP, CHM73A3PAGP, CHM7400SGP, CHM7400WGP, CHM7401WGP, CHM7402WGP