CHM80N75NGP Todos los transistores

 

CHM80N75NGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM80N75NGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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CHM80N75NGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  chenmko
 chm80n75ngp.pdf pdf_icon

CHM80N75NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM80N75NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 75 Volts CURRENT 80 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

 9.1. Size:107K  chenmko
 chm8030langp.pdf pdf_icon

CHM80N75NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8030LANGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 75 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(

Otros transistores... CHM7400WGP , CHM7401WGP , CHM7402WGP , CHM7407WGP , CHM740ANGP , CHM75A3PAGP , CHM76139NGP , CHM8030LANGP , IRFP064N , CHM8206JGP , CHM8207JGP , CHM8208JGP , CHM830GPAGP , CHM8311JGP , CHM83A3NGP , CHM83A3PAGP , CHM8401JGP .

History: IPB042N10N3GE8187 | AM7510C | FDU6N50F

 

 
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