Справочник MOSFET. CHM80N75NGP

 

CHM80N75NGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM80N75NGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для CHM80N75NGP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM80N75NGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  chenmko
 chm80n75ngp.pdf pdf_icon

CHM80N75NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM80N75NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 75 Volts CURRENT 80 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

 9.1. Size:107K  chenmko
 chm8030langp.pdf pdf_icon

CHM80N75NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8030LANGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 75 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(

Другие MOSFET... CHM7400WGP , CHM7401WGP , CHM7402WGP , CHM7407WGP , CHM740ANGP , CHM75A3PAGP , CHM76139NGP , CHM8030LANGP , IRFP064N , CHM8206JGP , CHM8207JGP , CHM8208JGP , CHM830GPAGP , CHM8311JGP , CHM83A3NGP , CHM83A3PAGP , CHM8401JGP .

History: TSM75N75CZ | AOE6932 | AP4543GEH-HF | PDN2309S | NCE60N1K0I

 

 
Back to Top

 


 
.