CHM80N75NGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CHM80N75NGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для CHM80N75NGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM80N75NGP даташит

 ..1. Size:112K  chenmko
 chm80n75ngp.pdf pdf_icon

CHM80N75NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM80N75NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 75 Volts CURRENT 80 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

 9.1. Size:107K  chenmko
 chm8030langp.pdf pdf_icon

CHM80N75NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM8030LANGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 75 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(

Другие IGBT... CHM7400WGP, CHM7401WGP, CHM7402WGP, CHM7407WGP, CHM740ANGP, CHM75A3PAGP, CHM76139NGP, CHM8030LANGP, AO4468, CHM8206JGP, CHM8207JGP, CHM8208JGP, CHM830GPAGP, CHM8311JGP, CHM83A3NGP, CHM83A3PAGP, CHM8401JGP