CHM8206JGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM8206JGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SO-8

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CHM8206JGP datasheet

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CHM8206JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM8206JGP SURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * Rugged and

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CHM8206JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM8208JGP SURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 7 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * Rugged and

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CHM8206JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM8207JGP SURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * Rugged and

Otros transistores... CHM7401WGP, CHM7402WGP, CHM7407WGP, CHM740ANGP, CHM75A3PAGP, CHM76139NGP, CHM8030LANGP, CHM80N75NGP, IRF730, CHM8207JGP, CHM8208JGP, CHM830GPAGP, CHM8311JGP, CHM83A3NGP, CHM83A3PAGP, CHM8401JGP, CHM8410JGP