CHM8206JGP Todos los transistores

 

CHM8206JGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM8206JGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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CHM8206JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  chenmko
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CHM8206JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8206JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 6 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and

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CHM8206JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8208JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 7 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and

 8.2. Size:96K  chenmko
 chm8207jgp.pdf pdf_icon

CHM8206JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8207JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 6 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and

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History: HM6620 | DH400P06F | FQD2N90TF | IXFT86N30T | IRFS723 | ME70N03S-G | IPB180N08S4-02

 

 
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