CHMP830JGP-A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHMP830JGP-A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SO-8

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CHMP830JGP-A datasheet

 ..1. Size:124K  chenmko
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CHMP830JGP-A

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHMP830JGP-A SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * Rugged and rel

 4.1. Size:1361K  cn vbsemi
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CHMP830JGP-A

CHMP830JGP www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D

Otros transistores... CHM9926JGP, CHM9926PAGP, CHM9935AJGP, CHM9936AJGP, CHM9939AJGP, CHM9952AJGP, CHM9953AJGP, CHM9956AJGP, IRFP260, CHT100GP, CHT170GP, CHT2301GP, CHT2301WGP, CHT2302GP, CHT2302WGP, CHT2303GP, CHT2312GP