CHMP830JGP-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHMP830JGP-A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 22 nC
Tiempo de subida (tr): 6 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHMP830JGP-A
CHMP830JGP-A Datasheet (PDF)
chmp830jgp-a.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHMP830JGP-ASURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and rel
chmp830jgp.pdf
CHMP830JGPwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS SO-8S1 8 DG S D2 7S3 6 D
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
