CHMP830JGP-A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CHMP830JGP-A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для CHMP830JGP-A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHMP830JGP-A даташит

 ..1. Size:124K  chenmko
 chmp830jgp-a.pdf pdf_icon

CHMP830JGP-A

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHMP830JGP-A SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * Rugged and rel

 4.1. Size:1361K  cn vbsemi
 chmp830jgp.pdf pdf_icon

CHMP830JGP-A

CHMP830JGP www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D

Другие IGBT... CHM9926JGP, CHM9926PAGP, CHM9935AJGP, CHM9936AJGP, CHM9939AJGP, CHM9952AJGP, CHM9953AJGP, CHM9956AJGP, IRFP260, CHT100GP, CHT170GP, CHT2301GP, CHT2301WGP, CHT2302GP, CHT2302WGP, CHT2303GP, CHT2312GP