CHT100GP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHT100GP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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CHT100GP datasheet

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CHT100GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT100GP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 1.1 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SOT-23 FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) * High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density. * Rugged a

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