CHT100GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHT100GP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de CHT100GP MOSFET
CHT100GP Datasheet (PDF)
cht100gp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT100GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 1.1 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density.* Rugged a
Otros transistores... CHM9926PAGP , CHM9935AJGP , CHM9936AJGP , CHM9939AJGP , CHM9952AJGP , CHM9953AJGP , CHM9956AJGP , CHMP830JGP-A , 2SK3568 , CHT170GP , CHT2301GP , CHT2301WGP , CHT2302GP , CHT2302WGP , CHT2303GP , CHT2312GP , CHT2324GP .
History: FDD6N50TF | MTN8N65E3 | HUFA75332G3 | AP9990GI-HF | HSBA3050 | AP99LT06GP-HF | HSU0018A
History: FDD6N50TF | MTN8N65E3 | HUFA75332G3 | AP9990GI-HF | HSBA3050 | AP99LT06GP-HF | HSU0018A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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