CHT100GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHT100GP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de CHT100GP MOSFET
CHT100GP Datasheet (PDF)
cht100gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT100GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 1.1 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density.* Rugged a
Otros transistores... CHM9926PAGP , CHM9935AJGP , CHM9936AJGP , CHM9939AJGP , CHM9952AJGP , CHM9953AJGP , CHM9956AJGP , CHMP830JGP-A , 4435 , CHT170GP , CHT2301GP , CHT2301WGP , CHT2302GP , CHT2302WGP , CHT2303GP , CHT2312GP , CHT2324GP .
Liste
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