CHT100GP Todos los transistores

 

CHT100GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHT100GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CHT100GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  chenmko
 cht100gp.pdf pdf_icon

CHT100GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT100GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 1.1 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density.* Rugged a

Otros transistores... CHM9926PAGP , CHM9935AJGP , CHM9936AJGP , CHM9939AJGP , CHM9952AJGP , CHM9953AJGP , CHM9956AJGP , CHMP830JGP-A , 2SK3568 , CHT170GP , CHT2301GP , CHT2301WGP , CHT2302GP , CHT2302WGP , CHT2303GP , CHT2312GP , CHT2324GP .

History: OSG65R600FSF-NB | HM1N60R | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | CMLM0305T

 

 
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