Справочник MOSFET. CHT100GP

 

CHT100GP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHT100GP
   Маркировка: T100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.1 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5.5 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 90 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.17 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для CHT100GP

 

 

CHT100GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  chenmko
 cht100gp.pdf

CHT100GP CHT100GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT100GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 1.1 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density.* Rugged a

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top