CHT870GP Todos los transistores

 

CHT870GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHT870GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CHT870GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  chenmko
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CHT870GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT870GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 0.250 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density.* Rugged

Otros transistores... CHT2302WGP , CHT2303GP , CHT2312GP , CHT2324GP , CHT84GP , CHT84SGP , CHT84VGP , CHT84WGP , IRFP450 , CHT-SNMOS80 , CM697 , CM800 , CM860 , CMF10120D , CMF20120D , CMKDM8005 , CMLDM3737 .

History: IRHNJ67434 | VN10LE | 2N90G-TA3-T | VBM165R02 | NVMD6N03R2G | 2N7227U | SI2310B

 

 
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