CHT870GP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHT870GP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.32 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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CHT870GP datasheet

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CHT870GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT870GP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 0.250 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SOT-23 FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) * High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density. * Rugged

Otros transistores... CHT2302WGP, CHT2303GP, CHT2312GP, CHT2324GP, CHT84GP, CHT84SGP, CHT84VGP, CHT84WGP, NCEP15T14, CHT-SNMOS80, CM697, CM800, CM860, CMF10120D, CMF20120D, CMKDM8005, CMLDM3737