CHT870GP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CHT870GP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.32 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.25 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.6 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 6 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
CHT870GP Datasheet (PDF)
..1. Size:123K chenmko
cht870gp.pdf
cht870gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT870GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 0.250 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density.* Rugged
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
