Справочник MOSFET. CHT870GP

 

CHT870GP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHT870GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CHT870GP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHT870GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  chenmko
 cht870gp.pdf pdf_icon

CHT870GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT870GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 0.250 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density.* Rugged

Другие MOSFET... CHT2302WGP , CHT2303GP , CHT2312GP , CHT2324GP , CHT84GP , CHT84SGP , CHT84VGP , CHT84WGP , IRFP450 , CHT-SNMOS80 , CM697 , CM800 , CM860 , CMF10120D , CMF20120D , CMKDM8005 , CMLDM3737 .

History: SVF1N60N | NX2020N2 | PM509BA | NCE70T260I | BLP08N10G-B | AP10N012IN | CS8N60D

 

 
Back to Top

 


 
.