CMRDM7590 Todos los transistores

 

CMRDM7590 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMRDM7590
   Código: CW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.536 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-963

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CMRDM7590 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  central
cmrdm7590.pdf

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CMRDM7590SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL P-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMRDM7590 is SILICON MOSFETSan Enhancement-mode Dual P-Channel Field Effect Transistor designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING CODE: CWFEATURES:SOT-963 CASE Power D

 9.1. Size:415K  central
cmrdm3575.pdf

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CMRDM3575SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNEL AND P-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMRDM3575 COMPLEMENTARY SILICON MOSFETSconsists of complementary N-Channel and P-Channel Enhancement-mode silicon MOSFETs designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING

 9.2. Size:416K  central
cmrdm3590.pdf

CMRDM7590
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CMRDM3590SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL N-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMRDM3590 is SILICON MOSFETSan Enhancement-mode Dual N-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING

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