CS04CN10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS04CN10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de CS04CN10 MOSFET
CS04CN10 Datasheet (PDF)
cs04cn10.pdf

CS04CN10N N PD TC=25 300 W ID VGS=10V,TC=25 100 A ID VGS=10V,TC=100 100 A IDM 400 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.5 /W RthJA 62 BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=100A 3.5 4.2 m
Otros transistores... CMXDM7002A , CP640 , CP643 , CP650 , CP651 , CP664 , CP665 , CP666 , IRF9540N , CS100N03B4 , CS1010 , CS1010EA8 , CS10J60A4-G , CS10N60A8HD , CS10N60F , CS10N60FA9HD , CS10N65A8HD .
History: PHD9NQ20T | AP9995GJ-HF | FHU2N60A | LNC06R230
History: PHD9NQ20T | AP9995GJ-HF | FHU2N60A | LNC06R230



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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