CS04CN10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS04CN10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для CS04CN10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS04CN10 даташит

 ..1. Size:116K  china
 cs04cn10.pdf pdf_icon

CS04CN10

Другие IGBT... CMXDM7002A, CP640, CP643, CP650, CP651, CP664, CP665, CP666, SKD502T, CS100N03B4, CS1010, CS1010EA8, CS10J60A4-G, CS10N60A8HD, CS10N60F, CS10N60FA9HD, CS10N65A8HD