Справочник MOSFET. CS04CN10

 

CS04CN10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS04CN10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CS04CN10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  china
 cs04cn10.pdf pdf_icon

CS04CN10

CS04CN10N N PD TC=25 300 W ID VGS=10V,TC=25 100 A ID VGS=10V,TC=100 100 A IDM 400 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.5 /W RthJA 62 BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=100A 3.5 4.2 m

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRFB4229 | SPP15P10PG | 4N60KL-TMS-T | IXTT24N50Q | HUF76407DKF085 | 2SK2834-01 | IXTQ130N10T

 

 
Back to Top

 


 
.