CS1010 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS1010

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SMD-1

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CS1010 datasheet

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CS1010

LJ2015-35 CS1010 N T =25 2 A P W D T =25 200 C 1.4 W/ I V =10V,T =25 75 A D GS C I V =10V,T =100 55 A D GS C I 330 A DM V 20 V GS T +150 jm T -55 +150 stg R 62 th(J-a )

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CS1010

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1010E A8 VDSS 60 V General Description ID 120 A CS1010E A8, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25 ) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 7.5 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

Otros transistores... CP643, CP650, CP651, CP664, CP665, CP666, CS04CN10, CS100N03B4, 13N50, CS1010EA8, CS10J60A4-G, CS10N60A8HD, CS10N60F, CS10N60FA9HD, CS10N65A8HD, CS10N65FA9HD, CS10N70A8D