Справочник MOSFET. CS1010

 

CS1010 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS1010
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SMD-1
 

 Аналог (замена) для CS1010

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1010 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  china
 cs1010.pdf pdf_icon

CS1010

LJ2015-35CS1010 N T =25 2AP WDT =25 200C 1.4 W/I V =10V,T =25 75 AD GS C I V =10V,T =100 55 AD GS CI 330 ADMV 20 VGST +150 jmT -55 +150 stgR 62th(J-a )

 0.1. Size:1187K  wuxi china
 cs1010ea8.pdf pdf_icon

CS1010

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1010E A8 VDSS 60 V General Description ID 120 A CS1010E A8, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 7.5 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

Другие MOSFET... CP643 , CP650 , CP651 , CP664 , CP665 , CP666 , CS04CN10 , CS100N03B4 , TK10A60D , CS1010EA8 , CS10J60A4-G , CS10N60A8HD , CS10N60F , CS10N60FA9HD , CS10N65A8HD , CS10N65FA9HD , CS10N70A8D .

History: QS5K2 | UTP45N02 | CS740A8H | DMTH8012LK3 | PJE8401 | AUIRFB4410 | APT14F100S

 

 
Back to Top

 


 
.