CS1010 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CS1010
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: SMD-1
Аналог (замена) для CS1010
CS1010 Datasheet (PDF)
cs1010.pdf

LJ2015-35CS1010 N T =25 2AP WDT =25 200C 1.4 W/I V =10V,T =25 75 AD GS C I V =10V,T =100 55 AD GS CI 330 ADMV 20 VGST +150 jmT -55 +150 stgR 62th(J-a )
cs1010ea8.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1010E A8 VDSS 60 V General Description ID 120 A CS1010E A8, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 7.5 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow
Другие MOSFET... CP643 , CP650 , CP651 , CP664 , CP665 , CP666 , CS04CN10 , CS100N03B4 , TK10A60D , CS1010EA8 , CS10J60A4-G , CS10N60A8HD , CS10N60F , CS10N60FA9HD , CS10N65A8HD , CS10N65FA9HD , CS10N70A8D .
History: 2SK1377 | 2SK3404-ZJ | AFP1073 | STB22NS25Z | MPSA80M670B | S60N15R | APT50M50L2LLG
History: 2SK1377 | 2SK3404-ZJ | AFP1073 | STB22NS25Z | MPSA80M670B | S60N15R | APT50M50L2LLG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992