CS10N70FA9D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS10N70FA9D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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CS10N70FA9D datasheet

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CS10N70FA9D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS10N70F A9D VDSS 700 V General Description ID 10 A CS10N70F A9D, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25 ) 50 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 0.78 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in variou

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Silicon N-Channel Power MOSFET R CS10N70F A9R General Description VDSS 700 V CS10N70F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 10 A PD(TC=25 ) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.88 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various p

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N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10A VDSS 700 V Rdson-max 1.10 @Vgs=10V Qg-typ 33.6nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supply Electronic ballasts UPS UPS FEATURE

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