2SK1122 Todos los transistores

 

2SK1122 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1122
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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2SK1122 datasheet

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2SK1120 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSII.5) 2SK1120 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.5 (typ.) High forward transfer admittance Y 4.0 S (typ.) fs = Low leakage current I = 300 A (max) (V = 800 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 1.5 3.5 V (V = 10 V, I = 1 ... See More ⇒

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Otros transistores... 2SK1007-01 , 2SK1013-01 , 2SK1017 , 2SK1019 , 2SK105 , 2SK1059 , 2SK1060 , 2SK1109 , AO3400 , 2SK1123 , 2SK1132 , 2SK1133 , 2SK1177 , 2SK1178 , 2SK1179 , 2SK1180 , 2SK1181 .

 

 
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