CS30NF06L MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

CS30NF06L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS30NF06L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO-252

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CS30NF06L datasheet

..1. Size:59K china
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CS30NF06L N PD TC=25 70 W 0.46 W/ VGS=10V,TC=25 35 ID A VGS=10V,TC=100 25 IDM 140 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.14 /W RthJA 100 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 V VGS=5V,ID=18A 0.025 0.07 RD

9.1. Size:372K 1
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Silicon N-Channel Power MOSFET R CS30N20F A9R General Description VDSS 200 V CS30N20F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 30 A PD(TC=25 ) 42 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 70 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

9.2. Size:860K blue-rocket-elect
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