CS30NF06L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS30NF06L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS30NF06L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS30NF06L даташит

 ..1. Size:59K  china
 cs30nf06l.pdf pdf_icon

CS30NF06L

CS30NF06L N PD TC=25 70 W 0.46 W/ VGS=10V,TC=25 35 ID A VGS=10V,TC=100 25 IDM 140 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 2.14 /W RthJA 100 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 V VGS=5V,ID=18A 0.025 0.07 RD

 9.1. Size:372K  1
 cs30n20fa9r.pdf pdf_icon

CS30NF06L

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS30N20F A9R General Description VDSS 200 V CS30N20F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 30 A PD(TC=25 ) 42 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 70 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 9.2. Size:860K  blue-rocket-elect
 brcs30n10dp.pdf pdf_icon

CS30NF06L

 9.3. Size:877K  blue-rocket-elect
 brcs30n02ip.pdf pdf_icon

CS30NF06L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS2N65A3HY, CS2N65A4HY, CS2N65FA9HY, CS2N70A3R, CS2N70A4, CS2N70A6, CS2N70FA9, CS3018W, 4435, CS3100TH, CS3103, CS320, CS3205, CS3205A8, CS3205B8, CS3207, CS334