CS3100TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS3100TH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 850 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS3100TH

CS3100TH Datasheet (PDF)

..1. Size:110K china
cs3100th.pdf

CS3100TH N PD TC=25 125 W 1.0 W/ ID VGS=10V,TC=25 3.9 A IDM 16 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 850 V RDS on VGS=10V,ID=3.9A 4.2 VGS th VDS=VGS,ID=0.25m

9.1. Size:63K china
cs3103.pdf

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Liste

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