CS3100TH Todos los transistores

 

CS3100TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS3100TH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 850 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257
 

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CS3100TH Datasheet (PDF)

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CS3100TH

CS3100TH N PD TC=25 125 W 1.0 W/ ID VGS=10V,TC=25 3.9 A IDM 16 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 850 V RDS on VGS=10V,ID=3.9A 4.2 VGS th VDS=VGS,ID=0.25m

 9.1. Size:63K  china
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CS3100TH

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History: NCEP018N60AGU | IPDH4N03LAG | NCEP10N85AQ | NCEP090N85AGU | IPF13N03LAG

 

 
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