Справочник MOSFET. CS3100TH

 

CS3100TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS3100TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 850 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-257
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CS3100TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  china
 cs3100th.pdf pdf_icon

CS3100TH

CS3100TH N PD TC=25 125 W 1.0 W/ ID VGS=10V,TC=25 3.9 A IDM 16 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 850 V RDS on VGS=10V,ID=3.9A 4.2 VGS th VDS=VGS,ID=0.25m

 9.1. Size:63K  china
 cs3103.pdf pdf_icon

CS3100TH

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP4407GM

 

 
Back to Top

 


 
.