CS3100TH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS3100TH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 850 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO-257

Аналог (замена) для CS3100TH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS3100TH даташит

 ..1. Size:110K  china
 cs3100th.pdf pdf_icon

CS3100TH

CS3100TH N PD TC=25 125 W 1.0 W/ ID VGS=10V,TC=25 3.9 A IDM 16 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 850 V RDS on VGS=10V,ID=3.9A 4.2 VGS th VDS=VGS,ID=0.25m

 9.1. Size:63K  china
 cs3103.pdf pdf_icon

CS3100TH

Другие IGBT... CS2N65A4HY, CS2N65FA9HY, CS2N70A3R, CS2N70A4, CS2N70A6, CS2N70FA9, CS3018W, CS30NF06L, SPP20N60C3, CS3103, CS320, CS3205, CS3205A8, CS3205B8, CS3207, CS334, CS3410B3