Справочник MOSFET. CS3100TH

 

CS3100TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS3100TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 850 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-257
 

 Аналог (замена) для CS3100TH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS3100TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  china
 cs3100th.pdf pdf_icon

CS3100TH

CS3100TH N PD TC=25 125 W 1.0 W/ ID VGS=10V,TC=25 3.9 A IDM 16 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 850 V RDS on VGS=10V,ID=3.9A 4.2 VGS th VDS=VGS,ID=0.25m

 9.1. Size:63K  china
 cs3103.pdf pdf_icon

CS3100TH

Другие MOSFET... CS2N65A4HY , CS2N65FA9HY , CS2N70A3R , CS2N70A4 , CS2N70A6 , CS2N70FA9 , CS3018W , CS30NF06L , AON7410 , CS3103 , CS320 , CS3205 , CS3205A8 , CS3205B8 , CS3207 , CS334 , CS3410B3 .

History: FDB3652-F085 | SVT085R5NT | IXFP36N20X3 | NCE30H12 | IPF13N03LAG | IRF6218 | SL2102

 

 
Back to Top

 


 
.