CS38N30AN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS38N30AN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 726 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de CS38N30AN MOSFET
CS38N30AN Datasheet (PDF)
cs38n30an.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS38N30 AN General Description VDSS 300 V CS38N30 AN, the silicon N-channel Enhanced ID 38.5 A PD (TC=25) 290 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.045 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various
cs38n30 an.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS38N30 AN General Description VDSS 300 V CS38N30 AN, the silicon N-channel Enhanced ID 38.5 A PD (TC=25) 290 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.045 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various
cs38n20d.pdf
CS38N20D N PD TC=25 320 W 2.1 W/ ID VGS=10V,TC=25 44 A ID VGS=10V,TC=100 32 A IDM 180 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.47 /W RthJA 62 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25 mA 200 V RDS on VG
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History: APT13F120B | CEU40N10 | RJK0631JPR | FDD8750 | RJK0628JPE | BUK9M24-40E | SQD19P06-60L
History: APT13F120B | CEU40N10 | RJK0631JPR | FDD8750 | RJK0628JPE | BUK9M24-40E | SQD19P06-60L
Liste
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