CS38N30AN Todos los transistores

 

CS38N30AN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS38N30AN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 726 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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CS38N30AN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  wuxi china
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CS38N30AN

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS38N30 AN General Description VDSS 300 V CS38N30 AN, the silicon N-channel Enhanced ID 38.5 A PD (TC=25) 290 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.045 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 7.1. Size:370K  crhj
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CS38N30AN

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS38N30 AN General Description VDSS 300 V CS38N30 AN, the silicon N-channel Enhanced ID 38.5 A PD (TC=25) 290 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.045 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 9.1. Size:112K  china
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CS38N30AN

CS38N20D N PD TC=25 320 W 2.1 W/ ID VGS=10V,TC=25 44 A ID VGS=10V,TC=100 32 A IDM 180 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.47 /W RthJA 62 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25 mA 200 V RDS on VG

Otros transistores... CS3410B3 , CS34P10 , CS360 , CS36P15 , CS3710 , CS3710B8 , CS37N5 , CS38N20D , 13N50 , CS3912 , CS3N50B3HY , CS3N50B4HY , CS3N60A3 , CS3N65A4H-G , CS3N70A3H-G , CS3N80A3 , CS3N80A4 .

History: IPF13N03LAG | UPA2756GR

 

 
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