CS38N30AN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS38N30AN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 726 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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CS38N30AN datasheet

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CS38N30AN

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS38N30 AN General Description VDSS 300 V CS38N30 AN, the silicon N-channel Enhanced ID 38.5 A PD (TC=25 ) 290 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.045 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 7.1. Size:370K  crhj
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CS38N30AN

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS38N30 AN General Description VDSS 300 V CS38N30 AN, the silicon N-channel Enhanced ID 38.5 A PD (TC=25 ) 290 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.045 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

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CS38N30AN

CS38N20D N PD TC=25 320 W 2.1 W/ ID VGS=10V,TC=25 44 A ID VGS=10V,TC=100 32 A IDM 180 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.47 /W RthJA 62 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25 mA 200 V RDS on VG

Otros transistores... CS3410B3, CS34P10, CS360, CS36P15, CS3710, CS3710B8, CS37N5, CS38N20D, TK10A60D, CS3912, CS3N50B3HY, CS3N50B4HY, CS3N60A3, CS3N65A4H-G, CS3N70A3H-G, CS3N80A3, CS3N80A4