CS3912 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS3912
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS3912

CS3912 Datasheet (PDF)

..1. Size:105K china
cs3912.pdf

CS3912 N PD TC=25 2 W ID VGS=10V,TC=25 3 A IDM 20 A VGS 20 V Tjm +175 Tstg -55 +150 RthJA 78 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=3A 0.125 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V gfs VDS=

9.1. Size:1359K 1
jcs3910r.pdf

N R N-CHANNEL MOSFET JCS3910 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 16A VDSS 100 V Rdson-max 115 m @Vgs=10V Qg-typ 18.9 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

9.2. Size:1083K jilin sino
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N RN-CHANNEL MOSFET JCS3910 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 16A VDSS 100 V Rdson-max 115 m @Vgs=10V Qg-typ 18.9 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

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N RN-CHANNEL MOSFET JCS3910 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 16A VDSS 100 V Rdson-max 115 m @Vgs=10V Qg-typ 18.9 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

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Liste

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