CS4482DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS4482DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS4482DY

CS4482DY Datasheet (PDF)

..1. Size:69K china
cs4482dy.pdf

LJ2015-29CS4482DY N ( P T =25 2.5 WD A 0.02 W/I T =25 4.6 AD AI 40 ADMV 20 V GST -55 +150 jmT -55 +150 stg R 50 /WthJABV V =0V,I =0.25mA 100 VDSS GS

9.1. Size:1469K blue-rocket-elect
brcs4484sc.pdf

BRCS4484SC Rev.E Nov.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / Features R DS(ON)Uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. H

9.2. Size:81K china
cs4486.pdf