CS4482DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS4482DY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de CS4482DY MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CS4482DY datasheet

 ..1. Size:69K  china
 cs4482dy.pdf pdf_icon

CS4482DY

LJ2015-29 CS4482DY N ( P T =25 2.5 W D A 0.02 W/ I T =25 4.6 A D A I 40 A DM V 20 V GS T -55 +150 jm T -55 +150 stg R 50 /W thJA BV V =0V,I =0.25mA 100 V DSS GS

 9.1. Size:1469K  blue-rocket-elect
 brcs4484sc.pdf pdf_icon

CS4482DY

BRCS4484SC Rev.E Nov.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / Features R DS(ON) Uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. H

 9.2. Size:81K  china
 cs4486.pdf pdf_icon

CS4482DY

LJ2015-40 CS4486 N ( P T =25 1.8 W D C 2.0 W/ I V =10V,T =25 5.4 A D GS C I V =10V,T =85 4.2 A D GS C I 40 A DM V 20 V GS T +150 jm T -55 +175 stg R

Otros transistores... CS3N80FA9, CS3N90A3H, CS3N90A4H, CS3N90A8, CS3N90FA9H, CS3R50A3, CS3R50FA9, CS40N06, 2N60, CS4486, CS47N60, CS48N18, CS48N75, CS48N78, CS48N80, CS48N88, CS4905S