CS4482DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CS4482DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: SO-8
CS4482DY Datasheet (PDF)
cs4482dy.pdf
LJ2015-29CS4482DY N ( P T =25 2.5 WD A 0.02 W/I T =25 4.6 AD AI 40 ADMV 20 V GST -55 +150 jmT -55 +150 stg R 50 /WthJABV V =0V,I =0.25mA 100 VDSS GS
brcs4484sc.pdf
BRCS4484SC Rev.E Nov.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / Features R DS(ON)Uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. H
cs4486.pdf
LJ2015-40CS4486 N ( P T =25 1.8 WD C 2.0 W/I V =10V,T =25 5.4 AD GS CI V =10V,T =85 4.2 AD GS CI 40 ADMV 20 VGST +150 jmT -55 +175 stg R
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F