CS4486 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS4486
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS4486
CS4486 Datasheet (PDF)
cs4486.pdf
LJ2015-40CS4486 N ( P T =25 1.8 WD C 2.0 W/I V =10V,T =25 5.4 AD GS CI V =10V,T =85 4.2 AD GS CI 40 ADMV 20 VGST +150 jmT -55 +175 stg R
brcs4484sc.pdf
BRCS4484SC Rev.E Nov.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / Features R DS(ON)Uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. H
cs4482dy.pdf
LJ2015-29CS4482DY N ( P T =25 2.5 WD A 0.02 W/I T =25 4.6 AD AI 40 ADMV 20 V GST -55 +150 jmT -55 +150 stg R 50 /WthJABV V =0V,I =0.25mA 100 VDSS GS
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