CS4486 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS4486
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS4486

CS4486 Datasheet (PDF)

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cs4486.pdf

LJ2015-40CS4486 N ( P T =25 1.8 WD C 2.0 W/I V =10V,T =25 5.4 AD GS CI V =10V,T =85 4.2 AD GS CI 40 ADMV 20 VGST +150 jmT -55 +175 stg R

9.1. Size:1469K blue-rocket-elect
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BRCS4484SC Rev.E Nov.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / Features R DS(ON)Uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. H

9.2. Size:69K china
cs4482dy.pdf