CS4J60A3-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS4J60A3-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 181 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO-251

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CS4J60A3-G datasheet

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CS4J60A3-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS4J60 A3-G General Description VDSS 600 V CS4J60 A3-G, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is ID 4 A PD(TC=25 ) 62 W obtained by the super junction technology which reduces the RDS(ON)Typ 1.78 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switc

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CS4J60A3-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6J70 A3-G1-1 General Description VDSS 600 V CS4J60 B3-G, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is ID 4 A PD(TC=25 ) 45 W obtained by the super junction technology which reduces the RDS(ON)Typ 2.2 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swi

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