CS4J60A3-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS4J60A3-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 181 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS4J60A3-G

CS4J60A3-G Datasheet (PDF)

..1. Size:347K wuxi china
cs4j60a3-g.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS4J60 A3-G General Description VDSS 600 V CS4J60 A3-G, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is ID 4 A PD(TC=25) 62 W obtained by the super junction technology which reduces the RDS(ON)Typ 1.78 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switc

8.1. Size:534K wuxi china
cs4j60b3-g.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6J70 A3-G1-1 General Description VDSS 600 V CS4J60 B3-G, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is ID 4 A PD(TC=25) 45 W obtained by the super junction technology which reduces the RDS(ON)Typ 2.2 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swi

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History: APT66M60B2

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: