2SK1123 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1123
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK1123 MOSFET
2SK1123 Datasheet (PDF)
2sk1120.pdf
2SK1120 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSII.5) 2SK1120 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.5 (typ.) High forward transfer admittance : |Y | 4.0 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 300 A (max) (V = 800 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 1.5~3.5 V (V = 10 V, I = 1
Otros transistores... 2SK1013-01 , 2SK1017 , 2SK1019 , 2SK105 , 2SK1059 , 2SK1060 , 2SK1109 , 2SK1122 , AON6414A , 2SK1132 , 2SK1133 , 2SK1177 , 2SK1178 , 2SK1179 , 2SK1180 , 2SK1181 , 2SK1183 .
History: PX5S6EA | PSMN008-75P | IRFH5215 | APTM50AM24SCG | HCS80R380S | RUM002N02T2L | WMB58N03T1
History: PX5S6EA | PSMN008-75P | IRFH5215 | APTM50AM24SCG | HCS80R380S | RUM002N02T2L | WMB58N03T1
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor