2SK1123 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1123  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO3P

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2SK1123 datasheet

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2SK1123

2SK1120 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSII.5) 2SK1120 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.5 (typ.) High forward transfer admittance Y 4.0 S (typ.) fs = Low leakage current I = 300 A (max) (V = 800 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 1.5 3.5 V (V = 10 V, I = 1

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2SK1123

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