CS4N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS4N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 33 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220F

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CS4N65F Datasheet (PDF)

1.1. jcs4n65f-c-r-v.pdf Size:779K _update

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1.2. cs4n65f.pdf Size:171K _update_mosfet

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1.3. cs4n65f a9r.pdf Size:263K _crhj

Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS4N65F A9R General Description： VDSS 650 V CS4N65F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25℃) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.4 Ω which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

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Liste

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