CS50N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS50N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm

Encapsulados: TO-258A

 Búsqueda de reemplazo de CS50N80 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CS50N80 datasheet

 ..1. Size:72K  china
cs50n80.pdf pdf_icon

CS50N80

LJ2015-05 CS50N80 N ( P 125 W D I V =20V T =25 50 A D GS C I 100 A DM V 20 V GS T 150 jm T -55 150 stg BV V =0V I =0.1mA 800 V DSS GS D V =800V V =0V 100 DS GS I A DSS V =800V V =0V

 9.1. Size:1386K  jilin sino
jcs50n20wt jcs50n20abt.pdf pdf_icon

CS50N80

 9.2. Size:1911K  jilin sino
jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf pdf_icon

CS50N80

N R N-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge

 9.3. Size:932K  blue-rocket-elect
brcs50n06bd.pdf pdf_icon

CS50N80

BRCS50N06BD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions N TO-263 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications

Otros transistores... CS4N65A4HDY, CS4N65A4TDY, CS4N65A8HD, CS4N65F, CS4N70ARHD, CS4N70FA9D, CS50N06, CS50N06D, 50N06, CS5103, CS520, CS5210, CS5210PBF, CS530, CS540, CS540A8, CS540B8