CS50N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS50N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm
Encapsulados: TO-258A
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CS50N80 datasheet
cs50n80.pdf
LJ2015-05 CS50N80 N ( P 125 W D I V =20V T =25 50 A D GS C I 100 A DM V 20 V GS T 150 jm T -55 150 stg BV V =0V I =0.1mA 800 V DSS GS D V =800V V =0V 100 DS GS I A DSS V =800V V =0V
jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf
N R N-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge
brcs50n06bd.pdf
BRCS50N06BD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions N TO-263 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications
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