CS50N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS50N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm

Тип корпуса: TO-258A

Аналог (замена) для CS50N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS50N80 даташит

 ..1. Size:72K  china
 cs50n80.pdf pdf_icon

CS50N80

LJ2015-05 CS50N80 N ( P 125 W D I V =20V T =25 50 A D GS C I 100 A DM V 20 V GS T 150 jm T -55 150 stg BV V =0V I =0.1mA 800 V DSS GS D V =800V V =0V 100 DS GS I A DSS V =800V V =0V

 9.1. Size:1386K  jilin sino
 jcs50n20wt jcs50n20abt.pdf pdf_icon

CS50N80

 9.2. Size:1911K  jilin sino
 jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf pdf_icon

CS50N80

N R N-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge

 9.3. Size:932K  blue-rocket-elect
 brcs50n06bd.pdf pdf_icon

CS50N80

BRCS50N06BD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions N TO-263 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS4N65A4HDY, CS4N65A4TDY, CS4N65A8HD, CS4N65F, CS4N70ARHD, CS4N70FA9D, CS50N06, CS50N06D, 50N06, CS5103, CS520, CS5210, CS5210PBF, CS530, CS540, CS540A8, CS540B8