CS530 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS530

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: TO-254

 Búsqueda de reemplazo de CS530 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CS530 datasheet

 ..1. Size:125K  china
 cs530.pdf pdf_icon

CS530

CS530 N PD TC=25 88 W 0.59 W/ ID VGS=10V,TC=25 14 A ID VGS=10V,TC=100 10 A IDM 56 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.7 /W RthJA 62 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,

Otros transistores... CS4N70FA9D, CS50N06, CS50N06D, CS50N80, CS5103, CS520, CS5210, CS5210PBF, IRLZ44N, CS540, CS540A8, CS540B8, CS540N, CS5410, CS55N10, CS5630, CS5M3710