CS530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS530
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254
Búsqueda de reemplazo de CS530 MOSFET
CS530 Datasheet (PDF)
cs530.pdf

CS530 N PD TC=25 88 W 0.59 W/ ID VGS=10V,TC=25 14 A ID VGS=10V,TC=100 10 A IDM 56 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.7 /W RthJA 62 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,
Otros transistores... CS4N70FA9D , CS50N06 , CS50N06D , CS50N80 , CS5103 , CS520 , CS5210 , CS5210PBF , IRFP260N , CS540 , CS540A8 , CS540B8 , CS540N , CS5410 , CS55N10 , CS5630 , CS5M3710 .
History: AP78T10GP | IPD60R1K5CE | CHM4435AZGP | IXFH17N80Q | NCE60N390I | NTMFS4C054N | CEF02N9
History: AP78T10GP | IPD60R1K5CE | CHM4435AZGP | IXFH17N80Q | NCE60N390I | NTMFS4C054N | CEF02N9



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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