CS530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS530
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VRds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS530
CS530 Datasheet (PDF)
cs530.pdf
CS530 N PD TC=25 88 W 0.59 W/ ID VGS=10V,TC=25 14 A ID VGS=10V,TC=100 10 A IDM 56 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.7 /W RthJA 62 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,
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