Справочник MOSFET. CS530

 

CS530 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-254

 Аналог (замена) для CS530

 

 

CS530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  china
 cs530.pdf

CS530

CS530 N PD TC=25 88 W 0.59 W/ ID VGS=10V,TC=25 14 A ID VGS=10V,TC=100 10 A IDM 56 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.7 /W RthJA 62 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top