CS530. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS530

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO-254

Аналог (замена) для CS530

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS530 даташит

 ..1. Size:125K  china
 cs530.pdf pdf_icon

CS530

CS530 N PD TC=25 88 W 0.59 W/ ID VGS=10V,TC=25 14 A ID VGS=10V,TC=100 10 A IDM 56 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.7 /W RthJA 62 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,

Другие IGBT... CS4N70FA9D, CS50N06, CS50N06D, CS50N80, CS5103, CS520, CS5210, CS5210PBF, IRLZ44N, CS540, CS540A8, CS540B8, CS540N, CS5410, CS55N10, CS5630, CS5M3710