Справочник MOSFET. CS530

 

CS530 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-254
 

 Аналог (замена) для CS530

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  china
 cs530.pdf pdf_icon

CS530

CS530 N PD TC=25 88 W 0.59 W/ ID VGS=10V,TC=25 14 A ID VGS=10V,TC=100 10 A IDM 56 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.7 /W RthJA 62 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,

Другие MOSFET... CS4N70FA9D , CS50N06 , CS50N06D , CS50N80 , CS5103 , CS520 , CS5210 , CS5210PBF , IRFP260N , CS540 , CS540A8 , CS540B8 , CS540N , CS5410 , CS55N10 , CS5630 , CS5M3710 .

History: CEB60N06G | IRF321 | QM2404C1 | SUP60N10-16L | SI8451DB | FTK15N10D | TK11A50D

 

 
Back to Top

 


 
.