CS5630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS5630
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de CS5630 MOSFET
CS5630 Datasheet (PDF)
cs5630.pdf

CS5630N PD TA=25 0.5 WID VGS=10V,TA=25 1.7 AVGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 75 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 VVGS=10V,ID=1.7A 0.073 0.100RDS on VGS=6V,ID=1.6A 0.083 0.120VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 1.0 2.4 3.0
Otros transistores... CS5210PBF , CS530 , CS540 , CS540A8 , CS540B8 , CS540N , CS5410 , CS55N10 , IRFB4227 , CS5M3710 , CS5M4905 , CS5M5210 , CS5N50 , CS5N5210 , CS5N60D , CS5N60F , CS5N65A3 .
History: TDM3512 | UTT25N08 | CS5410 | IRFU3708 | TF2302 | DMT8012LK3
History: TDM3512 | UTT25N08 | CS5410 | IRFU3708 | TF2302 | DMT8012LK3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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