CS5630 Todos los transistores

 

CS5630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS5630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CS5630 Datasheet (PDF)

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CS5630

CS5630N PD TA=25 0.5 WID VGS=10V,TA=25 1.7 AVGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 75 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 VVGS=10V,ID=1.7A 0.073 0.100RDS on VGS=6V,ID=1.6A 0.083 0.120VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 1.0 2.4 3.0

Otros transistores... CS5210PBF , CS530 , CS540 , CS540A8 , CS540B8 , CS540N , CS5410 , CS55N10 , IRFB4227 , CS5M3710 , CS5M4905 , CS5M5210 , CS5N50 , CS5N5210 , CS5N60D , CS5N60F , CS5N65A3 .

History: SI9926CDY | UTT25N08 | 2SK2572

 

 
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