CS5630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS5630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23

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CS5630 Datasheet (PDF)

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cs5630.pdf

CS5630N PD TA=25 0.5 WID VGS=10V,TA=25 1.7 AVGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 75 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 VVGS=10V,ID=1.7A 0.073 0.100RDS on VGS=6V,ID=1.6A 0.083 0.120VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 1.0 2.4 3.0

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