CS5630 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS5630

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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CS5630 datasheet

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CS5630

CS5630 N PD TA=25 0.5 W ID VGS=10V,TA=25 1.7 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 75 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 V VGS=10V,ID=1.7A 0.073 0.100 RDS on VGS=6V,ID=1.6A 0.083 0.120 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 1.0 2.4 3.0

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