Справочник MOSFET. CS5630

 

CS5630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS5630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CS5630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  china
 cs5630.pdf pdf_icon

CS5630

CS5630N PD TA=25 0.5 WID VGS=10V,TA=25 1.7 AVGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 75 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 VVGS=10V,ID=1.7A 0.073 0.100RDS on VGS=6V,ID=1.6A 0.083 0.120VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 1.0 2.4 3.0

Другие MOSFET... CS5210PBF , CS530 , CS540 , CS540A8 , CS540B8 , CS540N , CS5410 , CS55N10 , IRFB4227 , CS5M3710 , CS5M4905 , CS5M5210 , CS5N50 , CS5N5210 , CS5N60D , CS5N60F , CS5N65A3 .

History: HP60N75 | WFP10N60 | PZ5S6JZ | IRHMJ57260SE | SIR408DP | RSR025N03FRA | SM2054NSV

 

 
Back to Top

 


 
.