CS5630. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS5630

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для CS5630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5630 даташит

 ..1. Size:61K  china
 cs5630.pdf pdf_icon

CS5630

CS5630 N PD TA=25 0.5 W ID VGS=10V,TA=25 1.7 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 75 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 V VGS=10V,ID=1.7A 0.073 0.100 RDS on VGS=6V,ID=1.6A 0.083 0.120 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 1.0 2.4 3.0

Другие IGBT... CS5210PBF, CS530, CS540, CS540A8, CS540B8, CS540N, CS5410, CS55N10, 10N60, CS5M3710, CS5M4905, CS5M5210, CS5N50, CS5N5210, CS5N60D, CS5N60F, CS5N65A3