CS5N5210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS5N5210
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS5N5210
CS5N5210 Datasheet (PDF)
cs5n5210.pdf
CS5N5210P PD TC=25 125 W 1.0 W/ID VGS=-10V,TC=25 -31 AID VGS=-10V,TC=100 -19 AIDM -124 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-19A 0.06
jcs5n50vt jcs5n50rt jcs5n50ct jcs5n50ft.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N50T Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson-max 1.6 @Vgs=10V 15 nC Qg-typ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge
jcs5n50.pdf
N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS5N50T \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS ID 5 A VDSS 500 V Rdson@Vgs=10V 1.6&! Qg 15 nC APPLICATIONS (u High efficiency switch _sQ5un
jcs5n50vc jcs5n50rc jcs5n50cc jcs5n50fc.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 14nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES
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BRCS5N50YU Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions DFN88-4L N Dual N-CHANNEL MOSFET in a DFN88-4L Plastic Package. / Features V (V)=500V I =5A DS DRDS(ON)@10V
cs5n50.pdf
CS5N50 N PD TC=25 74 W 0.59 W/ ID VGS=10V,TC=25 5.0 A ID VGS=10V,TC=100 3.2 A IDM 20 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.7 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 500 V RDS on VGS=10V,ID=3A 1.4
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History: SLF16N50C
History: SLF16N50C
Liste
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