CS5N5210 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS5N5210

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO-257

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CS5N5210 datasheet

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CS5N5210

CS5N5210 P PD TC=25 125 W 1.0 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -31 A ID VGS=-10V,TC=100 -19 A IDM -124 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-19A 0.06

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CS5N5210

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N50T Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson-max 1.6 @Vgs=10V 15 nC Qg-typ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

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CS5N5210

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CS5N5210

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.45 14nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

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