Справочник MOSFET. CS5N5210

 

CS5N5210 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS5N5210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO-257

 Аналог (замена) для CS5N5210

 

 

CS5N5210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  china
 cs5n5210.pdf

CS5N5210

CS5N5210P PD TC=25 125 W 1.0 W/ID VGS=-10V,TC=25 -31 AID VGS=-10V,TC=100 -19 AIDM -124 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-19A 0.06

 9.1. Size:2112K  jilin sino
 jcs5n50vt jcs5n50rt jcs5n50ct jcs5n50ft.pdf

CS5N5210 CS5N5210

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N50T Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson-max 1.6 @Vgs=10V 15 nC Qg-typ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 9.2. Size:1627K  jilin sino
 jcs5n50.pdf

CS5N5210 CS5N5210

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS5N50T \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS ID 5 A VDSS 500 V Rdson@Vgs=10V 1.6&! Qg 15 nC APPLICATIONS (u High efficiency switch _sQ5un

 9.3. Size:2342K  jilin sino
 jcs5n50vc jcs5n50rc jcs5n50cc jcs5n50fc.pdf

CS5N5210 CS5N5210

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 14nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

 9.4. Size:1923K  blue-rocket-elect
 brcs5n50yu.pdf

CS5N5210 CS5N5210

BRCS5N50YU Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions DFN88-4L N Dual N-CHANNEL MOSFET in a DFN88-4L Plastic Package. / Features V (V)=500V I =5A DS DRDS(ON)@10V

 9.5. Size:124K  china
 cs5n50.pdf

CS5N5210

CS5N50 N PD TC=25 74 W 0.59 W/ ID VGS=10V,TC=25 5.0 A ID VGS=10V,TC=100 3.2 A IDM 20 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.7 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 500 V RDS on VGS=10V,ID=3A 1.4

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FS5VS-5 | STF11NM65N

 

 
Back to Top