CS5N5210. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS5N5210

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-257

Аналог (замена) для CS5N5210

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5N5210 даташит

 ..1. Size:64K  china
 cs5n5210.pdf pdf_icon

CS5N5210

CS5N5210 P PD TC=25 125 W 1.0 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -31 A ID VGS=-10V,TC=100 -19 A IDM -124 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-19A 0.06

 9.1. Size:2112K  jilin sino
 jcs5n50vt jcs5n50rt jcs5n50ct jcs5n50ft.pdf pdf_icon

CS5N5210

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N50T Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson-max 1.6 @Vgs=10V 15 nC Qg-typ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 9.2. Size:1627K  jilin sino
 jcs5n50.pdf pdf_icon

CS5N5210

 9.3. Size:2342K  jilin sino
 jcs5n50vc jcs5n50rc jcs5n50cc jcs5n50fc.pdf pdf_icon

CS5N5210

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.45 14nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS540N, CS5410, CS55N10, CS5630, CS5M3710, CS5M4905, CS5M5210, CS5N50, 8205A, CS5N60D, CS5N60F, CS5N65A3, CS5N65A4, CS5N65A7H, CS5N65A8H, CS5N65FA9H, CS5N70A4