CS5NJ5305 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS5NJ5305
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254
Búsqueda de reemplazo de CS5NJ5305 MOSFET
CS5NJ5305 Datasheet (PDF)
cs5nj5305.pdf
CS5NJ5305P PD TC=25 75 W 0.6 W/ID VGS=-10V,TC=25 -31 AID VGS=-10V,TC=100 -16 AIDM -88 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -55 VRDS on VGS=-10V,ID=-16A 0.065
cs5nj540.pdf
CS5NJ540 N PD TC=25 75 W 0.60 W/ ID VGS=10V,TC=25 22 A ID VGS=10V,TC=100 16 A IDM 88 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=16A 0.052
cs5nj540a.pdf
CS5NJ540A N PD TC=25 75 W 0.60 W/ ID VGS=10V,TC=25 22 A ID VGS=10V,TC=100 16 A IDM 88 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=16A 0.052
cs5nj9540.pdf
CS5NJ9540P PD TC=25 140 W 0.91 W/ID VGS=-10V,TC=25 -23 AID VGS=-10V,TC=100 -16 AIDM -76 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-11A 0.117
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History: OSG65R420AF | HFP730F | HM2312 | APT28M120L | OSG55R380AF | IPP47N10S-33 | IPP12CN10LG
History: OSG65R420AF | HFP730F | HM2312 | APT28M120L | OSG55R380AF | IPP47N10S-33 | IPP12CN10LG
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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