CS5NJ5305 Todos los transistores

 

CS5NJ5305 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS5NJ5305
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254
     - Selección de transistores por parámetros

 

CS5NJ5305 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  china
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CS5NJ5305

CS5NJ5305P PD TC=25 75 W 0.6 W/ID VGS=-10V,TC=25 -31 AID VGS=-10V,TC=100 -16 AIDM -88 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -55 VRDS on VGS=-10V,ID=-16A 0.065

 8.1. Size:125K  china
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CS5NJ5305

CS5NJ540 N PD TC=25 75 W 0.60 W/ ID VGS=10V,TC=25 22 A ID VGS=10V,TC=100 16 A IDM 88 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=16A 0.052

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CS5NJ5305

CS5NJ540A N PD TC=25 75 W 0.60 W/ ID VGS=10V,TC=25 22 A ID VGS=10V,TC=100 16 A IDM 88 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=16A 0.052

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CS5NJ5305

CS5NJ9540P PD TC=25 140 W 0.91 W/ID VGS=-10V,TC=25 -23 AID VGS=-10V,TC=100 -16 AIDM -76 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-11A 0.117

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History: SGP100N025 | BSR202N | FHU50N06D

 

 
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