CS5NJ5305. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS5NJ5305

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO-254

Аналог (замена) для CS5NJ5305

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5NJ5305 даташит

 ..1. Size:64K  china
 cs5nj5305.pdf pdf_icon

CS5NJ5305

CS5NJ5305 P PD TC=25 75 W 0.6 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -31 A ID VGS=-10V,TC=100 -16 A IDM -88 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -55 V RDS on VGS=-10V,ID=-16A 0.065

 8.1. Size:125K  china
 cs5nj540.pdf pdf_icon

CS5NJ5305

CS5NJ540 N PD TC=25 75 W 0.60 W/ ID VGS=10V,TC=25 22 A ID VGS=10V,TC=100 16 A IDM 88 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=16A 0.052

 8.2. Size:111K  china
 cs5nj540a.pdf pdf_icon

CS5NJ5305

CS5NJ540A N PD TC=25 75 W 0.60 W/ ID VGS=10V,TC=25 22 A ID VGS=10V,TC=100 16 A IDM 88 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=16A 0.052

 9.1. Size:64K  china
 cs5nj9540.pdf pdf_icon

CS5NJ5305

CS5NJ9540 P PD TC=25 140 W 0.91 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -23 A ID VGS=-10V,TC=100 -16 A IDM -76 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-11A 0.117

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS5N65A8H, CS5N65FA9H, CS5N70A4, CS5N70FA9, CS5N90, CS5N90ARH-G, CS5N90FA9H, CS5NB90, IRFP260, CS5NJ540, CS5NJ540A, CS5NJ9540, CS5NJZ48, CS5NM50, CS5Y3205, CS5Y5305CM, CS5Y9540CM