CS5NM50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS5NM50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-257

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CS5NM50 datasheet

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CS5NM50

S5NM50 N PD TC=25 100 W 0.8 W/ VGS=10V,TC=25 7.5 ID A VGS=10V,TC=100 4.7 IDM 30 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.25 /W RthJA 100 BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 500 V RDS on VGS=10V,ID

Otros transistores... CS5N90ARH-G, CS5N90FA9H, CS5NB90, CS5NJ5305, CS5NJ540, CS5NJ540A, CS5NJ9540, CS5NJZ48, 13N50, CS5Y3205, CS5Y5305CM, CS5Y9540CM, CS60N04A4, CS6215PBF, CS630, CS630A3H, CS630A4H