CS5NM50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS5NM50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-257

Аналог (замена) для CS5NM50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5NM50 даташит

 ..1. Size:124K  china
 cs5nm50.pdf pdf_icon

CS5NM50

S5NM50 N PD TC=25 100 W 0.8 W/ VGS=10V,TC=25 7.5 ID A VGS=10V,TC=100 4.7 IDM 30 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.25 /W RthJA 100 BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 500 V RDS on VGS=10V,ID

Другие IGBT... CS5N90ARH-G, CS5N90FA9H, CS5NB90, CS5NJ5305, CS5NJ540, CS5NJ540A, CS5NJ9540, CS5NJZ48, 13N50, CS5Y3205, CS5Y5305CM, CS5Y9540CM, CS60N04A4, CS6215PBF, CS630, CS630A3H, CS630A4H