CS630FA9H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS630FA9H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS630FA9H

CS630FA9H Datasheet (PDF)

..1. Size:832K wuxi china
cs630fa9h.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS630F A9H General Description VDSS 200 V CS630F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 9 A PD(TC=25) 30 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.23 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

7.1. Size:2285K jilin sino
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N N- CHANNEL MOSFET R JCS630A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.4 @Vgs=10V Qg-typ 22nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

7.2. Size:1941K jilin sino
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7.3. Size:1651K blue-rocket-elect
brcs630fa.pdf

BRCS630FA Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features V =200VI =9A DS DRDS(on)@10V0.4(Type.0.35) HF Product. / Applications LED Networking,Load Switch,LED applications.

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PK844DS

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: