CS640F MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

CS640F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS640F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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CS640F datasheet

..1. Size:708K crhj
cs640f a9h.pdf pdf_icon

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS640F A9H General Description VDSS 200 V CS640F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 18 A PD(TC=25 ) 55 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.12 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

..2. Size:197K lzg
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0.1. Size:1439K jilin sino
jcs640s jcs640c jcs640f.pdf pdf_icon

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.18 @Vgs=10V Qg-typ 47nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

0.2. Size:1405K jilin sino
jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh.pdf pdf_icon

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