CS64N90F Todos los transistores

 

CS64N90F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS64N90F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00745 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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CS64N90F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  thinkisemi
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CS64N90F

CS64N90 PbCS64N90Pb Free Plating Product85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFETGeneral Description CS64N90(TO-220 HeatSink)CS64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS GFea

 9.1. Size:603K  cass
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CS64N90F

CS64N12\ CSN64N12 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The 64N12 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=120A@ VGS=10V; RDS(ON)

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History: HCU90R1K4 | HCU80R1K2 | HFP12N65U | STL21N65M5 | SPN30T10 | HFP12N65S | 2SK954

 

 
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