CS6766 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS6766
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS6766

CS6766 Datasheet (PDF)

..1. Size:125K china
cs6766.pdf

CS6766 N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 30 A ID VGS=10V,TC=100 19 A IDM 120 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.83 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 200 V VGS=10V,ID=19A 0.085 RDS on

9.1. Size:106K china
cs6769.pdf

CS6769 N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 11 A ID VGS=10V,TC=100 7 A IDM 20 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.83 /W BVDSS VGS=0V,ID=4 mA 450 V RDS on VGS=10V,ID=7A 0.55

9.2. Size:107K china
cs6768.pdf

CS6768 N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 14 A ID VGS=10V,TC=100 9 A IDM 56 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.83 /W BVDSS VGS=0V,ID=1 mA 400 V VGS=10V,ID=9A 0.3 RDS on

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Liste

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