CS6766. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS6766

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO-257

Аналог (замена) для CS6766

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS6766 даташит

 ..1. Size:125K  china
 cs6766.pdf pdf_icon

CS6766

 9.1. Size:106K  china
 cs6769.pdf pdf_icon

CS6766

 9.2. Size:107K  china
 cs6768.pdf pdf_icon

CS6766

Другие IGBT... CS640F, CS640FA9H, CS64N90, CS64N90B, CS64N90F, CS65N20-30, CS6660, CS6661, 18N50, CS6768, CS6769, CS6790, CS6796, CS6798, CS6849, CS6849U, CS6N60A3TY