CS6768 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS6768
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS6768
CS6768 Datasheet (PDF)
cs6768.pdf
CS6768 N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 14 A ID VGS=10V,TC=100 9 A IDM 56 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.83 /W BVDSS VGS=0V,ID=1 mA 400 V VGS=10V,ID=9A 0.3 RDS on
cs6769.pdf
CS6769 N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 11 A ID VGS=10V,TC=100 7 A IDM 20 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.83 /W BVDSS VGS=0V,ID=4 mA 450 V RDS on VGS=10V,ID=7A 0.55
cs6766.pdf
CS6766 N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 30 A ID VGS=10V,TC=100 19 A IDM 120 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.83 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 200 V VGS=10V,ID=19A 0.085 RDS on
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Liste
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